基于單片機(jī)的RGB LED背光源的設(shè)計(jì)方案
摘 要：為設(shè)計(jì)背光源提出了一種解決方案。根據(jù)三原色原理，利用單片機(jī)作為控制元件、結(jié)合NCP 5623三原色控制芯片，設(shè)計(jì)了一種RGB LED背光源。對(duì)于NCP 5623的控制所用的I2 C總線的實(shí)現(xiàn)上，采取利用單片機(jī)任意2個(gè)通用I/O管腳和NCP兩5623的I2 C引腳連接，作為I2 C總線，通信協(xié)議實(shí)現(xiàn)上采用軟件模擬的方式，且單片機(jī)作為控制..

LED大屏幕輸出電路的優(yōu)化設(shè)計(jì)
摘 要： 在研究目前LED 大屏幕控制電路的基礎(chǔ)上，提出了一種提高輸出速度的實(shí)現(xiàn)方法。文中給出了該方法的原理與電路圖，并探討了不同計(jì)數(shù)方式下，數(shù)據(jù)的組織與顯示的實(shí)現(xiàn)過程。此方法如果與FPGA/ CPLD 改造、使用更高頻率單片機(jī)的方式相結(jié)合，將會(huì)進(jìn)一步提高大屏幕控制電路的性能。改造電路可以高至單片機(jī)主頻的1/ 4 頻率..

基于D5026A的LED顯示屏節(jié)能分析
D5026A是上海得倍電子專為節(jié)能型LED顯示屏設(shè)計(jì)的驅(qū)動(dòng)IC，其設(shè)計(jì)思路是節(jié)能并兼容現(xiàn)有方案，也就是說即可用于節(jié)能亦可兼容傳統(tǒng)。經(jīng)計(jì)算并經(jīng)測(cè)試，采用D5026A制作的顯示屏可節(jié)電高達(dá)30%以上。下面就簡(jiǎn)單介紹一下D5026A的節(jié)能原理。 圖1 傳統(tǒng)的5026驅(qū)動(dòng)輸出結(jié)構(gòu) 圖2 5026每個(gè)單元恒流原理圖眾所周知，LED驅(qū)動(dòng)通常是要采用..

基于ARM S3C44B0X 的LED顯示屏設(shè)計(jì)
為了簡(jiǎn)化L ED 顯示屏的驅(qū)動(dòng)電路，節(jié)約單片機(jī)的端口資源，對(duì)常見的L ED 顯示屏驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行了改進(jìn)，全部采用通用的串入并出移位寄存器作為選通驅(qū)動(dòng)，系統(tǒng)全部采用串行數(shù)據(jù)控制，形成了一種只需4 根信號(hào)線的L ED 顯示屏驅(qū)動(dòng)電路解決方案，僅需占用單片機(jī)的4個(gè)I/ O 端口發(fā)送串行數(shù)據(jù)就可以實(shí)現(xiàn)正常的顯示功能，文中給出相應(yīng)..

基于FPGA+MCU的大型LED顯示屏系統(tǒng)設(shè)計(jì)
摘 要：傳統(tǒng)的大型LED顯示屏系統(tǒng)以單片機(jī)MCU、ARM 或PLD為核心控制芯片，以FPGA為核心的led顯示屏控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)起來比較復(fù)雜，并且需要以高性能的FPGA芯片作為基礎(chǔ)，而以微處理器為核心的LED顯示屏控制系統(tǒng)不夠靈活，在改變LED屏幕顯示尺寸時(shí)，需要大幅修改系統(tǒng)設(shè)計(jì)，PLD雖在處理速度上有較大提高且能很好地控制多模塊..

大功率LED燈珠及LED點(diǎn)光源選擇技巧
大功率LED燈珠及LED點(diǎn)光源選擇方式應(yīng)該從一下9個(gè)方面來分析： 1、led亮度 LED的亮度不同，價(jià)格也會(huì)有所不同。 燈杯：一般亮度為60-70lm； 球泡燈：一般亮度為80-90lm。 注：1W亮度為60-110lm3W亮度最高可達(dá)240lm5W-300W是集成芯片，用串/并聯(lián)封裝，主要看多少電流，電壓，幾串幾并。 ..

大功率LED封裝工藝的方案介紹及討論
芯片設(shè)計(jì) 從芯片的演變歷程中發(fā)現(xiàn)，各大led生產(chǎn)商在上游磊晶技術(shù)上不斷改進(jìn)，如利用不同的電極設(shè)計(jì)控制電流密度，利用ITO薄膜技術(shù)令通過LED的電流能平均分布等，使在結(jié)構(gòu)上都盡可能產(chǎn)生最多的。再運(yùn)用各種不同方法去抽出LED發(fā)出的每一粒光子，如生產(chǎn)不同外形的芯片；利用芯片周邊有效地控制光折射度提高LED取率，研制..

LED支架防濕氣結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方案分析（附圖）
led支架是LED燈珠在封裝之前的基板，起到保護(hù)固晶焊線和硅膠成型的作用，導(dǎo)通電路，并影響到光、電特性。支架結(jié)構(gòu)性能的好壞直接影響到LED燈珠性能，目前很多燈珠死燈，經(jīng)顯微鏡觀察，燈珠內(nèi)的芯片并沒出現(xiàn)異常，而是連接芯片的合金線與金屬基板脫離造成斷路。如圖1所示。 圖1：連接芯片的合金線與金屬基板脫離造成斷路同..

LED芯片設(shè)計(jì)及封裝設(shè)計(jì)成果概覽
近年來，隨著led生產(chǎn)技術(shù)發(fā)展一日千里，令其發(fā)光亮度提高和壽命延長(zhǎng)，加上生產(chǎn)成本大幅降低，迅速擴(kuò)大了LED應(yīng)用市場(chǎng)，如消費(fèi)產(chǎn)品、訊號(hào)系統(tǒng)及一般照明等，于是其全球市場(chǎng)規(guī)?？焖俪砷L(zhǎng)。2003年全球LED市場(chǎng)約44。8億美元(高亮度LED市場(chǎng)約27億美元)，較2002年成長(zhǎng)17。3%(高亮度LED市場(chǎng)成長(zhǎng)47%)，乘著手機(jī)市場(chǎng)繼續(xù)增長(zhǎng)之勢(shì)，..

芯片技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)
目前的外延技術(shù)可以使得InGaN有源層在常溫和普通注入電流條件下的內(nèi)量子效率達(dá)到90-95%，但當(dāng)溫度升高時(shí)，內(nèi)量子效率會(huì)有較大的下降，因此要提高發(fā)光效率必須控制結(jié)溫和提高出光效率。基于這點(diǎn)，技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)如下： 1）襯底剝離技術(shù)（Lift-off） 這項(xiàng)技術(shù)首先由美國(guó)惠普公司在AlGaInP/GaAs LED上實(shí)現(xiàn)， GaAs襯底使得LED..

LED外延片基礎(chǔ)知識(shí)
外延片的生產(chǎn)制作過程是非常復(fù)雜，展完外延片，接下來就在每張外延片隨意抽取九點(diǎn)做測(cè)試，符合要求的就是良品，其它為不良品(電壓偏差很大，波長(zhǎng)偏短或偏長(zhǎng)等)。良品的外延片就要開始做電極(P極，N極)，接下來就用激光切割外延片，然后百分百分撿，根據(jù)不同的電壓，波長(zhǎng)，亮度進(jìn)行全自動(dòng)化分檢，也就是形成LED晶片(方片)..

LED測(cè)試技術(shù)基本概念
今天來分享一些在LED測(cè)試的基本概念： 「正向電壓」通過發(fā)光二極體的正向電流為確定值時(shí)，在兩極間產(chǎn)生的電壓降。 「反向電流」加在發(fā)光二極體兩端的反向電壓為確定值時(shí)，流過發(fā)光二極體的電流。 「峰值波長(zhǎng)」光譜輻射功率最大的波長(zhǎng)。 「半強(qiáng)度角」在發(fā)光（或輻射）強(qiáng)度分佈中，發(fā)光（或輻射）發(fā)光強(qiáng)度大于等于最大強(qiáng)度..

LED IQC/IPQC/OQC檢驗(yàn)程序與方法
LED產(chǎn)業(yè)在挑揀、測(cè)試方面很重視，LED材料、原料的來源也必須有良好的控管，才能做好LED的產(chǎn)品。 IQC（incoming quality control）意思是來料的品質(zhì)控制，簡(jiǎn)稱來料控制。之所以在此談IQC，而不是IPQC（制程品質(zhì)控制），F(xiàn)QC（成品品質(zhì)控制）等。是因?yàn)楦鞣N假貨，劣質(zhì)產(chǎn)品在不斷地侵蝕著我們，面對(duì)這些劣質(zhì)產(chǎn)品，可能一個(gè)小..