藍寶石由于具有與GaN大體匹配的晶格，以及與同質襯底相比的成本效益，是LED開盒即用晶片的卓越材料。在諸如商業(yè)和住宅照明等應用不斷增加的需求推動下，為了滿足今后數(shù)年里預期的市場增長，LED市場將需要越來越多的低成本LED級藍寶石。藍寶石的高熔點導致諸如氧空位和間隙原子等點缺陷的平衡量 [1]。缺陷的濃度足夠高時，就會導致小角度晶界；后者以具有極高位錯密度的線性區(qū)域作為特征。

  確定藍寶石材料的質量，以及是否達到LED應用的要求，乃是整個制造價值鏈不可缺少的組成部分。評估開盒即用晶片質量方法之一的一種參照測試方法稱為腐蝕坑密度（etch pit density，簡稱EPD）測試法。EPD測量值一般用于確定襯底上外延層的質量。近來，LED行業(yè)已將EPD（腐蝕坑密度法）用于評估藍寶石襯底的質量，以及其生產(chǎn)優(yōu)質LED的適用性。