在LED生產(chǎn)過程中，GaN通常是以藍寶石上生長外延，其價格較高。目前，日本松下稱研發(fā)出了在石墨板上生長Gan的結晶薄膜技術。
這項技術的原理如下：首先，在石墨底板表面進行等離子處理，使表面粗化。然后通過有機金屬氣相生長法（MOCVD）在底板上層積Al和N、形成氮化鋁（AlN）層。最后在氮化鋁層上形成GaN結晶薄膜。
外延片等技術在LED行業(yè)中屬高端技術，目前只為國際幾家大公司所掌握。希望我國能加快相關技術的研發(fā)。
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